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In particular on radiation attractive half conductor crystal arrangement with p - n - transition and the p - n - transition against moisture huelle

机译：特别是在辐射有吸引力的半导体晶体结构中，具有p-n-跃迁和p-n-跃迁抗湿气

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公开/公告号DE1047949B

专利类型
公开/公告日1958-12-31

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1957S053993
发明设计人 WIESNER DIPL-PHYS DR RICHARD;KELLERBAUER MAX HUGO;
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申请日1957-06-24
分类号H01L21/24;H01L23/10;H01L29/00;H01L31/00;H01L31/10;H01L33/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 20:03:06

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