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A method for producing a drift - transistor with a flakes - shaped half conductor body with a resistance gradient along its thickness

机译:一种带有薄片状半导体的漂移晶体管的生产方法,所述漂移晶体管沿其厚度具有电阻梯度

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1129624B

    专利类型

  • 公开/公告日1962-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PHILCO CORPORATION;

    申请/专利号DE1958P020965

  • 发明设计人 WILLIAMS RICHARD A.;

    申请日1958-07-03

  • 分类号C25F3/12;H01L21/00;H01L29/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 17:52:34

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