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机译:一种制备高纯度斯塔福莫能半导体的方法
公开/公告号DE1164680B
专利类型
公开/公告日1964-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1958S058305
发明设计人 ZIEGLER DIPL-PHYS DR GUENTHER;
申请日1958-05-21
分类号C30B13/10;H01L21/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 16:34:51
机译: 用于拉制稳定剂原质,优选为半导体的结晶体的方法和装置
机译: 用于控制其直径或横截面构造的斯塔博尔米根半导体的浮区熔化方法和实施该方法的设备
机译: 斯塔福米根半导体本体的坩埚松散区熔化方法