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Tunnel diode biased in negative resistance region by zener diode power supply means

机译:齐纳二极管电源装置将隧道二极管偏置在负阻区域

摘要

960,991. Supply systems for consumption apparatus. SIEMENS & HALSKE A.G. Dec. 20, 1962 [Dec. 21, 1961], No. 48266/62. Heading H2H. [Also in Division H3] The low voltage supply for a tunnel diode circuit (see Division H3) is the difference between the voltages developed across two Zener diodes D 1 and D 2 . The supply for the Zener diodes is obtained from respective variable resistors 51 and 52 and the low voltage supply is filtered by a circuit 4, 6.
机译:960991。消耗设备的供应系统。 SIEMENS&HALSKE A.G. 1962年12月20日[12月1961年第21期],第48266/62号。标题H2H。 [也属于H3分区]隧道二极管电路的低压电源(请参见H3分区)是两个齐纳二极管D 1和D 2两端产生的电压之差。齐纳二极管的电源是从相应的可变电阻器51和52获得的,低压电源由电路4、6滤波。

著录项

  • 公开/公告号US3146416A

    专利类型

  • 公开/公告日1964-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号US19620246062

  • 发明设计人 MEEWES GUNTER;BOBON FRITZ;

    申请日1962-12-20

  • 分类号H03B7/08;H03F3/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 16:09:59

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