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A helicoidal guide transistor with a half conductor body with four zones alternately opposite conductivity type, a method for producing and circuit of such surfaces transistors

机译:具有导电性类型交替相反的四个区域的半导体的螺旋形导通晶体管,这种表面晶体管的制造方法和电路

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1207010B

    专利类型

  • 公开/公告日1965-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBM;

    申请/专利号DE1964J025186

  • 发明设计人 SEEDS ROBERT BOEHM;

    申请日1964-01-28

  • 分类号H01L27/08;H01L29/00;H03K19/098;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 15:06:22

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