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A method for the crucible loose zone melting of a by pulling from the melt semiconductor rod obtained

机译：通过从获得的熔融半导体棒中拉出来坩埚的a的坩埚松散区熔融的方法

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公开/公告号DE1210415B

专利类型
公开/公告日1966-02-10

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申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1955S044099
发明设计人 KNIEPKAMP DR PHIL HEINRICH;DIPL-PHYS DR RER NAT GUENTHER;
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申请日1955-05-26
分类号C30B13/16;C30B13/26;C30B13/28;C30B13/32;C30B15/00;C30B15/02;C30B15/30;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 15:04:40

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