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机译:一种单侧外延生长化合物半导体单晶层的方法
公开/公告号DE1244732B
专利类型
公开/公告日1967-07-20
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1963S087971
发明设计人 DERSIN DIPL-CHEM DR HANSJUERGE;WINSTEL DIPL-PHYS DR GUENTER;
申请日1963-10-22
分类号H01L21/20;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 14:08:39
机译: 通过外延生长生产半导体材料的单晶掺杂层的方法
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