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Associative memory elements employing field effect transistors

机译:采用场效应晶体管的联想存储元件

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号US3390382A

    专利类型

  • 公开/公告日1968-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIPPON ELECTRIC COMPANY LIMITED;

    申请/专利号US19670664382

  • 发明设计人 IGARASHI RYO;

    申请日1967-08-30

  • 分类号G11C8/16;G11C15/04;H03K3/356;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 12:53:09

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