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机译:采用场效应晶体管的联想存储元件
公开/公告号US3390382A
专利类型
公开/公告日1968-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 NIPPON ELECTRIC COMPANY LIMITED;
申请/专利号US19670664382
发明设计人 IGARASHI RYO;
申请日1967-08-30
分类号G11C8/16;G11C15/04;H03K3/356;
国家 US
入库时间 2022-08-23 12:53:09
机译: 使用场效应晶体管的关联记忆元件
机译: 有机半导体材料和有机薄膜晶体管的应用,场效应有机薄膜晶体管及其开关元件的应用