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机译：半导体器件，尤其是锐棒和小棒形二极管的半导体器件
公开/公告号DE1439882A1
专利类型
公开/公告日1969-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 VEB WERK FUER FERNSEHELEKTRONIK;
申请/专利号DE19631439882
发明设计人 EICHELBAUMWERNER;
申请日1963-12-02
分类号H01L23/04;H01L23/16;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 12:21:29
机译： 发光二极管，其制造方法，集成发光二极管，其制造方法，生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法，用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板，光源单元，光源二极管背光源和发光二极管照明设备，发光二极管显示器，电子设备，电子设备及其制造方法
机译： 发光二极管及其制造方法，集成的发光二极管及其制造方法，生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的方法，用于生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的基质光源单元，光源二极管背光源，发光二极管照明装置，发光二极管显示器和电子仪器，电子装置及其制造方法
机译： 发光二极管及其制造方法，集成的发光二极管及其制造方法，生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法，用于生长基于氮化物的III-V族化合物，半导体的材料源电池单元，发光二极管背光源，发光二极管照明装置，发光二极管显示器和电子仪器，电子装置及其制造方法
