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Photosensitive semiconductor with two radiation sources for producing two transition steps

机译:具有两个辐射源的光敏半导体,用于产生两个过渡步骤

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号US3415996A

    专利类型

  • 公开/公告日1968-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NORTH AMERICAN PHILIPS COMPANY INC.;

    申请/专利号US19650433259

  • 发明设计人 GRIMMEISS HERMANN GEORG;

    申请日1965-02-15

  • 分类号G01J5/28;H01L21/00;H01L31/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 11:47:37

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