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METHOD FOR LOWERING DARK CONDUCTIVITY OF THIN SEMICONDUCTING FILMS

机译:降低薄半导体薄膜暗导电性的方法

摘要

1,229,006. Electrolytically treating vapourdeposited films. EASTMAN KODAK CO. Nov.28, 1968 [Nov.29, 1967], No.56520/68. Headings C7B and C7F. [Also in Division H1] The dark conductivity of a vapour-deposited ionic semi-conducting film of the oxide, sulphide, selenide or telluride of Cd, Zn or Pb, e.g. an evaporated coating of CdS on glass, is decreased by immersing the film as an anode in an electrolyte prepared by dissolving an alkali or alkaline earth metal hydroxide, sulphide, selenide or telluride, e.g. Na 2 S for CdS or ZnS, Na 2 Se for CdSe, Na 2 Te for CdTe or NaOH for lead oxide, in a suitable solvent, e.g. ethanol, a glycol, acetonitrile or tetrahydrofuran, and passing direct current between the anode and a cathode e.g. of Pt. The concentration of anion in the electrolyte may be 0À001 to 0À2N. The anode current density may be 0À025 to 250 mA/cmSP2/SP. Prior art discloses annealing the film and substrate at 350-900‹ C. in air, HCl, H 2 S and/or S vapour to modify the dark conductivity.
机译:1,229,006。电解处理气相沉积膜。 EASTMAN KODAK CO.1968年11月28日[1967年11月29日],编号56520/68。标题C7B和C7F。 [也在H1区中]蒸镀了Cd,Zn或Pb的氧化物,硫化物,硒化物或碲化物的离子沉积半导体半导电膜的暗电导率。通过将作为阳极的膜浸入通过溶解碱金属或碱土金属的氢氧化物,硫化物,硒化物或碲化物制备的电解质中,可减少玻璃上CdS的蒸发涂层。在合适的溶剂中,例如,Na 2 S用于CdS或ZnS,Na 2 Se用于CdSe,Na 2 Te用于CdTe或NaOH用于氧化铅。乙醇,乙二醇,乙腈或四氢呋喃,并在阳极和阴极之间通过直流电,例如的电解质中阴离子的浓度可以为0‑001至0‑2N。阳极电流密度可以为0-025至250mA / cm 2 。现有技术公开了在空气,HCl,H 2 S和/或S蒸气中在350-900℃下对膜和衬底进行退火以改变暗电导率。

著录项

  • 公开/公告号US3520781A

    专利类型

  • 公开/公告日1970-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EASTMAN KODAK CO.;

    申请/专利号USD3520781

  • 发明设计人 BENJAMIN B. SNAVELY;FRANZ TRAUTWEILER;

    申请日1967-11-29

  • 分类号H01L21;H01L21/388;H01L21/465;H01L21/479;H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:55

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