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机译：制备大KC1晶体的方法
公开/公告号US3630692A
专利类型
公开/公告日1971-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 KERR-MCGEE CORP.;
申请/专利号USD3630692
发明设计人 RAYMOND C. GREEN;JOSEPH E. TRACHTA;
申请日1968-01-26
分类号B01D9/02;
国家 US
入库时间 2022-08-23 08:01:59
机译： 制备III-V族化合物晶体的方法，制备种子基质的种子晶体的方法，III-V族化合物的晶体，半导体器件，III-V族化合物的晶体制备装置，种子晶体，基质材料的制备器械
机译： 单晶体基质，具有晶体膜的单晶体基质，晶体膜，具有晶体膜的单晶体基质的制备方法，晶体基质的制备方法以及制备元素的方法
机译： 单晶衬底，具有晶体膜的单晶衬底，晶体膜，具有晶体膜的单晶衬底的制造方法，晶体衬底的制造方法以及元件的制造方法
