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机译:生产隐性掺杂区的多晶扩散途径
公开/公告号CA925223A
专利类型
公开/公告日1973-04-24
原文格式PDF
申请/专利权人 IBM CORP;
申请/专利号CA19710103626
发明设计人 JOSEPH J. CHANG;MADHUKAR B. VORA;
申请日0000-00-00
分类号H01L27/00;H01L21/00;H01L21/74;H01L23/535;
国家 CA
入库时间 2022-08-23 07:25:18
机译: 通过形成掺杂的多晶或非晶半导体的掩埋区来形成PN结隔离区的方法
机译: 半导体器件晶体管具有具有轻掺杂区,重掺杂区和围绕轻掺杂区的扩散源/漏区的衬底
机译: 具有半导体衬底和n-掺杂的埋层区域的双极晶体管-具有p-掺杂的第二集电极区域,该p-掺杂的第二集电极区域环形地包围第一集电极区域,由外延区隔开