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机译:铁合金区熔合法生产halbleitereinkristallstabes中影响径向阔台植物的方法
公开/公告号DE000002204486A
专利类型
公开/公告日1973-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE2204486A
发明设计人 MUEHLBAUER ALFRED DIPL ING DR;
申请日1972-01-31
分类号B01J17/10;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 07:05:06
机译: 铁合金区熔合法生产halbleitereinkristallstabes中影响径向阔台植物的方法
机译: 无坩埚区熔合制造半导体单晶棒中获得均匀径向电阻曲线的方法