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机译:铁合金区熔合法生产halbleitereinkristallstabes中影响径向阔台植物的方法
公开/公告号JPS4886705A
专利类型
公开/公告日1973-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19730007722
发明设计人
申请日1973-01-17
分类号C30B13/28;
国家 JP
入库时间 2022-08-23 06:18:39
机译: 铁合金区熔合法生产halbleitereinkristallstabes中影响径向阔台植物的方法
机译: 无坩埚区熔合制造半导体单晶棒中获得均匀径向电阻曲线的方法