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Choosing a semiconductor chalcogenide glass - by differential thermal analysis and resistivity/temperature plots

机译:通过差热分析和电阻率/温度曲线图选择半导体硫属化物玻璃

摘要

An at least binary cpd. of As, Te or Ge is used together with variable addition of S, Se and/or Te as vitrifiers so that the amorphous state is detected using differential thermal analysis and resistivity measurements at various temps. The amount to be added for various purposes is selected from appropriate compsn. and temp curves for the appropriate property.
机译:至少二进制cpd。使用As,Te或Ge以及可变添加的S,Se和/或Te作为玻璃化剂,以便使用差示热分析和在不同温度下的电阻率测量来检测非晶态。从适当的组合中选择要用于各种目的的量。和适当特性的温度曲线。

著录项

  • 公开/公告号FR2148702A5

    专利类型

  • 公开/公告日1973-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CEA;

    申请/专利号FR19710028048

  • 发明设计人

    申请日1971-07-30

  • 分类号B01J17/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 06:43:13

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