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SINGLE LAYER SELF-DESTRUCT CIRCUIT PRODUCED BY CO-DEPOSITION OF TUNGSTIC OXIDE AND ALUMINUM

机译:氧化钨与铝共沉积制得的单层自成电路

摘要

A single layer self-destruct thermite material of tungstic oxide and aluminum simultaneously vacuum deposited on a substrate underlying or overlying a thin film circuit separated therefrom by an electrical insulating thin film to cause thin film circuit destruction when the destruct film is ignited by electrical energy.
机译:钨氧化物和铝的单层自毁铝热剂材料同时真空沉积在衬底上,该衬底位于通过电绝缘薄膜与其隔开的薄膜电路之下或之上,以在通过电能点燃破坏膜时破坏薄膜电路。

著录项

  • 公开/公告号US3742120A

    专利类型

  • 公开/公告日1973-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SECRETARY OF THE NAVYUS;

    申请/专利号USD3742120

  • 发明设计人 KEISTER FUS;SMOLKER GUS;

    申请日1970-10-28

  • 分类号H05K1/04;F42C13/00;H01C7/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 06:27:24

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