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机译:产生所述信号的过程分别是晶体管组中的电流和电阻,以影响凸轮位错
公开/公告号IT970159B
专利类型
公开/公告日1974-04-10
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号IT19720031221
发明设计人
申请日1972-11-02
分类号H01L;
国家 IT
入库时间 2022-08-23 06:05:15
机译: MOS晶体管负载电流确定方法,其中测量晶体管温度并用于基于参考电阻值来计算导通电阻,从而能够确定负载电流
机译: 微处理器上电复位电路具有受控的开关晶体管栅极电流,可产生精确的电阻输出节点位置。
机译: 具有负载电容的电流模式连续电压电路电压斜坡发生器/具有电阻器/晶体管的电流发生器,产生的负载电流(分量电阻器/电流发生器电阻)成正比。