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机译:N型层的硒化镉的光导靶标,包括氯化镉和氯化亚铜
公开/公告号USRE28156E
专利类型
公开/公告日1974-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO;
申请/专利号US19730343489
发明设计人 SHIMIZU KAZUO;YOSHIDA OKIO;KIUCHI YUJI;
申请日1973-03-21
分类号H01J29/45;
国家 US
入库时间 2022-08-23 04:52:41
机译: N型层的硒化镉的光导靶标,包括氯化镉和氯化亚铜
机译: 形成包括阻挡接触的硒化镉光电导成像体的覆盖层的方法