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Method of forming an overlayer including a blocking contact for cadmium selenide photoconductive imaging bodies

机译:形成包括阻挡接触的硒化镉光电导成像体的覆盖层的方法

摘要

A major surface of a cadmium selenide body is exposed within a reactive sputtering apparatus to controlled bombardment with electrons, and to controlled simultaneous reactive sputter deposition of an overlayer including aluminum and oxygen.
机译:硒化镉体的主表面在反应溅射设备中暴露于受控的电子轰击,并受控地同时反应溅射沉积包括铝和氧的覆盖层。

著录项

  • 公开/公告号US3964986A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RCA CORPORATION;

    申请/专利号US19750563815

  • 发明设计人 GORDON MARK;

    申请日1975-03-31

  • 分类号C23C15/00;H01J39/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 01:31:41

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