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Process for manufacturing a family of devices, semi conductors, oxy isolated on a substrate semi conductor and semi-conductor oxide isolated structure

机译:用于制造一系列器件,半导体,在衬底上隔离的氧的方法半导体和隔离氧化物的半导体结构

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号BR7506172A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FAIRCHILD CAMARA AND INSTR CORP;

    申请/专利号BR19757506172

  • 发明设计人 O BRIEN D;

    申请日1975-09-24

  • 分类号H01L21/72;H01L27/02;

  • 国家 BR

  • 入库时间 2022-08-23 02:57:20

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