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机译：通过刻蚀具有氧化硅二氧化硅层的硅体来生产
公开/公告号GB1413936A
专利类型
公开/公告日1975-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号GB19740013312
发明设计人
申请日1974-03-26
分类号B08B3/08;
国家 GB
入库时间 2022-08-23 01:46:09
机译： 通过图案化的二氧化硅层对多晶硅层进行等离子蚀刻，以在半导体器件生产中形成垂直多晶硅线
机译： 半导体结构的制造包括：准备半导体衬底;在衬底上形成氮化硅层;在氮化硅层上形成二氧化硅层;以及蚀刻二氧化硅层。
机译： 蚀刻液，用于选择性蚀刻半导体上的二氧化硅和磷酸盐玻璃层，以及使用待清洗的溶液蚀刻半导体
