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MANUFACTURE OF ULTRA STEP JUNCTION TYPE BARACTOR DIODE

机译：超阶接合型势垒二极管的制造

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摘要

PURPOSE:To provide manufacturing method of ultra step junction type varactor diode by double diffusion which is possible to keep capacity deviation very low.

机译：目的：提供一种通过双扩散制造超阶跃结型变容二极管的方法，可以使电容偏差非常小。

著录项

公开/公告号JPS5267578A

专利类型
公开/公告日1977-06-04

原文格式PDF
申请/专利权人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO;
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申请/专利号JP19750142891
发明设计人 SHIMIZU SHIYOUICHI;
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申请日1975-12-03
分类号H01L29/93;H01L21/22;
国家 JP
入库时间 2022-08-23 01:06:08

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