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机译:带有两个以上mesavormige投影的全面的半geleiderlichaam压敏半geleleiderinriching。
公开/公告号NL153026B
专利类型
公开/公告日1977-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD. KADOMA JAPAN.;
申请/专利号NL19690003998
发明设计人
申请日1969-03-14
分类号H01L29/84;
国家 NL
入库时间 2022-08-23 00:49:57
机译: 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶,该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合,并且导电率高于半吉利德型,并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对,第二黄变相反当在第一个和第二个基础接触之间连接一个插接的sbron时,在第一个和第二个基础接触之间就形成了一个绝热负的weerstandskarakteristiek,显示了这种半geleideriderrichting。
机译: 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶,该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合,并且导电率高于半吉利德型,并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对,第二黄变相反当在第一和第二基极接触点之间连接一个插接的sbron时,并且在第一和第二基极接触点之间形成了一个绝热负负weerstandskarakteristiek,显示了这种半geleleiderinrichting。
机译: 用于制备半geleideriderinriching的方法,是一种全面的半geleleiderlichaam,其至少具有从半gegeleiderlichaam的表面出发的聚kristallijn硅的优良elektrodelichaam。