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process for zuechten stabfoermiger, versetzungsfreier single crystals, particularly of silicon, by tiegelfreies zone fusion

机译：Tigelfreies区域融合的zuechten stabfoermiger，versetzungsfreier单晶，特别是硅单晶的制备方法

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公开/公告号DE000001619994C3

专利类型
公开/公告日1977-03-03

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申请/专利权人
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申请/专利号DE1619994A
发明设计人
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申请日1967-03-09
分类号B01J17/10;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 00:12:32

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