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offenroehriges method for the diffusion of gallium in silicon

机译:场滴灌法研究镓在硅中的扩散

摘要

A process for diffusing gallium into a semiconductor material is disclosed in which a gaseous mixture of argon and carbon monoxide is used to transport the gallium in an open tube diffusion furnace to the semiconductor material contained in the tube where the gallium diffusion takes place.
机译:公开了一种将镓扩散到半导体材料中的方法,其中使用氩气和一氧化碳的气态混合物将镓在敞开的管式扩散炉中输送到容纳在其中发生镓扩散的管中的半导体材料。

著录项

  • 公开/公告号DE2644879A1

    专利类型

  • 公开/公告日1977-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP;

    申请/专利号DE19762644879

  • 发明设计人 GHOSHTAGORE RATHINDRA N;

    申请日1976-10-05

  • 分类号B01J17/34;B01J17/40;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 23:59:10

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