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Bias circuitry for stacked transistor power amplifier stages

机译:堆叠晶体管功率放大器级的偏置电路

摘要

Stacked transistor power amplifier stages in an integrated-circuit quasi-linear amplifier are supplied quiescent bias currents which are in inverse proportion to their forward current gains. This permits selection of their quiescent collector currents to be at sufficiently low levels to reduce to low values both cross-over distortion and quiescent dissipation.
机译:向集成电路准线性放大器中的堆叠晶体管功率放大器级提供静态偏置电流,该静态偏置电流与其正向电流增益成反比。这允许其静态集电极电流的选择处于足够低的水平,以将交叉失真和静态耗散都减小至低值。

著录项

  • 公开/公告号FR2231150B1

    专利类型

  • 公开/公告日1978-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RCA CORP;

    申请/专利号FR19740018062

  • 发明设计人

    申请日1974-05-24

  • 分类号H03F3/04;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 21:50:21

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