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Method for effecting reverse shape memory phenomena in Cu-Zn-Si brass alloy

机译:在Cu-Zn-Si黄铜合金中影响反向形状记忆现象的方法

摘要

A method for making an integrated circuit package includes the steps of fabricating lead frames from a copper-zinc-silicon beta brass alloy and soldering the leads thereof to semi-conductor chips by use of the shape memory and reverse shape memory characteristic of the alloy. The composition of the lead frame material and the choice and sequence of fabrication steps may be varied.
机译:一种制造集成电路封装的方法,包括以下步骤:由铜-锌-硅-β-黄铜合金制造引线框架,并利用合金的形状记忆和反向形状记忆特性将其引线焊接到半导体芯片上。引线框架材料的组成以及制造步骤的选择和顺序可以改变。

著录项

  • 公开/公告号US4099991A

    专利类型

  • 公开/公告日1978-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ESSEX GROUP;

    申请/专利号US19760728975

  • 发明设计人 HORACE POPS;BARRY C. JOHNSON;

    申请日1976-10-04

  • 分类号C22F1/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 21:28:12

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