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Polycrystalline silicon etching with tetramethylammonium hydroxide

机译:用氢氧化四甲铵蚀刻多晶硅

摘要

A family of etchants for polycrystalline silicon based upon an aqueous solution of NR.sub.4 OH, where R is an alkyl group, has a relatively low etching rate enabling the exercise of better control over the delineation of fine structures.
机译:基于NR 4 OH的水溶液(其中R是烷基)的多晶硅蚀刻剂家族具有相对较低的蚀刻速率,从而能够更好地控制精细结构的轮廓。

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