首页> 外国专利> Monolithically integrated semiconductor structure containing at least two devices in a common zone and technique for preventing parasitic transistor action

Monolithically integrated semiconductor structure containing at least two devices in a common zone and technique for preventing parasitic transistor action

机译:在公共区域中包含至少两个器件的单片集成半导体结构以及防止寄生晶体管动作的技术

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号UST969010I4

    专利类型

  • 公开/公告日1978-04-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号US19770801433

  • 发明设计人

    申请日1977-05-20

  • 分类号H01L27/02;H01L27/07;H01L29/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 21:24:11

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