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机译:在铝膜上阳极制备疏水氧化物层的工艺。
公开/公告号DE2836878B1
专利类型
公开/公告日1979-11-08
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE19782836878
发明设计人 SARKAR HARIMOHAN DIPL-PHYS DR;
申请日1978-08-23
分类号C25D11/12;H01G9/24;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 19:44:17
机译: 通过阳极氧化在铝部件的阳极氧化层上产生疏水表面的步骤包括使用改性硅烷将疏水层直接施加在阳极氧化层上
机译: 用于电导体,特别是铝制导体的阳极氧化物层,用于制造阳极氧化物层的方法以及具有阳极氧化物层的导体