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机译:测量载流子寿命的方法,尤其是在Pin Diodes P-I-N Diodakh中
公开/公告号PL218622A2
专利类型
公开/公告日1980-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 INST TECH ELEKTRONOWEJ;
申请/专利号PL19790218622
发明设计人 JELENSKI ANDRZEJ;SZCZESNY JULIUSZ;
申请日1979-09-29
分类号G01R;H01L;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 18:22:58
机译: 测量载流子寿命的方法,特别是在销钉二极管P-I-N DIODAKH中
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