该过程涉及硅销二极管对快速中子破坏的敏感性的调整和提高。 p> & &该方法包括选择具有高电阻率的基于n型或p型材料的硅的物质,该少数物质具有相对较长的少数载流子寿命,超过250微秒。否,以形成n * * * * p +和+类型的结,并排列剂量计的质量,从而获得从硅酸盐面积到体积的预先选择的硅引脚二极管。 p> & &用于人员将二极管固定到硅的剂量计,该剂量计的敏感度对应于低至0.1 rads吸收的辐射剂量,在0.1 rads范围内的灵敏度至少为10 mv / rad和10拉德。 p>
公开/公告号FR2385106B3
专利类型
公开/公告日1980-10-31
原文格式PDF
申请/专利权人 HARSHAW CHEMICAL CY;
申请/专利号FR19780008112
发明设计人
申请日1978-03-21
分类号G01T3/08;H01L31/00;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 17:24:02