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MANUFACTURE OF INDEFINITE FORM SILICON SPUTTERED TO ADJUSTED MONOHYDROGENATED AND POLYHYDROGENATED BOND DENSITY

机译:调整单价氢化和多氢化键合密度的不确定形态硅的制造

摘要

A reactively sputtered photoconductive amorphous silicon film having a controlled monohydride and polyhydride bond density is produced by applying a voltage bias to the film's substrate (14) during reactively sputtering a layer of amorphous silicon in a partial pressure of hydrogen.
机译:通过在氢的分压下对非晶硅层进行反应溅射的过程中,向膜的衬底(14)施加电压偏压,可以制得具有受控的一氢化物和多羟基化合物键合密度的反应溅射光导非晶硅膜。

著录项

  • 公开/公告号JPS56100128A

    专利类型

  • 公开/公告日1981-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EXXON RESEARCH ENGINEERING CO;

    申请/专利号JP19800189497

  • 发明设计人 SHIODOORU DEII MASUTEIKASU;

    申请日1980-12-29

  • 分类号C01B33/04;C23C14/00;C23C14/14;H01L21/205;H01L31/20;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 16:59:43

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