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机译:气态相的半导体生长周期结构的装置
公开/公告号JPS5633855B2
专利类型
公开/公告日1981-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19770023685
发明设计人
申请日1977-03-04
分类号H01L21/205;H01L21/68;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 16:50:49
机译: 气态相的半导体生长周期结构的装置