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FORMATION OF ADJACENT REGION

机译:毗邻地区的形成

摘要

PURPOSE:To obtain diode row in which a number of diodes are connected forward through consecutive connection of commutating junction and low-action resistance junction consisting of high-impurity density semiconductor region which is connected in series with adverse polarity to commutating junction.
机译:目的:获得一个二极管行,其中通过换向结和低动作电阻结的连续连接将多个二极管向前连接,该低作用电阻结由高杂质浓度半导体区域组成,该区域反向连接到换向结。

著录项

  • 公开/公告号JPS5619092B2

    专利类型

  • 公开/公告日1981-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号JP19760123447

  • 发明设计人

    申请日1976-10-16

  • 分类号H01L21/265;H01L21/203;H01L29/861;H01L31/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 16:49:10

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