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机译:在用于核辐射的硅探测器上放置冷触头的方法
公开/公告号BG31018A1
专利类型
公开/公告日1981-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 GUMNEROVALILJANA I.;MIKHAJJLOVMIKHAIL A.;
申请/专利号BG19800048914
发明设计人 GUMNEROVALILJANA I.;MIKHAJJLOVMIKHAIL A.;
申请日1980-08-22
分类号C23C13/02;
国家 BG
入库时间 2022-08-22 16:20:31
机译: 微电子兼容的热释电探测器-在辐射接收区域中具有第一个触点,并且在热释电层和支撑硅衬底之间具有进一步的接触,后者在热释电层下方被蚀刻掉以形成自由支撑层。
机译: 销合金-半导电体,具有整流结接触的辐射检测器,形成具有整流连接的销-半导电半导体装置,方法和系统以及用于分析合金-半导电体特性的系统和方法
机译: PIN合金半导体,具有整流结触点的辐射探测器,形成具有整流结触点的PIN合金半导体器件的方法和系统以及用于分析合金半导体特性的系统和方法