首页> 外国专利> combined with a halfgeleiderschakeling monocrystalline halfgeleidersubstraat and from the vapour phase that halfgeleidende made low,consisting of a polykristallijn area and at least two mono areas.

combined with a halfgeleiderschakeling monocrystalline halfgeleidersubstraat and from the vapour phase that halfgeleidende made low,consisting of a polykristallijn area and at least two mono areas.

机译:结合半硅酮共混物单晶的半硅烷基半晶体,并从气相中将半凝胶降低,由多晶区和至少两个单晶区组成。

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号NL165004C

    专利类型

  • 公开/公告日1981-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SONY CORPORATION (SONY KABUSHIKIKAISHA) TOKIO.;

    申请/专利号NL19690016396

  • 发明设计人

    申请日1969-10-30

  • 分类号H01L27/04;H01L29/04;H01L29/36;

  • 国家 NL

  • 入库时间 2022-08-22 16:10:55

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