退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:稳定MOS型场效应单元工作特性的方法
公开/公告号PL117887B1
专利类型
公开/公告日1981-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号PL19780210549
发明设计人
申请日1978-10-25
分类号H01L21/265;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 16:05:50
机译: 改善具有交叉电场和磁场的冷阴极器件工作特性的方法
机译: 电场吸收型光调制器,具有电磁场吸收型光调制器的半导体集成元件,使用其的模块以及利用电磁场吸收型光调制器制造半导电型集成元件的方法
机译: 为了检测气体或酒精的恢复特性的FET型传感器,生产方法和操作方法