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机译:调查半导体体积中的反向导电区域的方法
公开/公告号SU811370A1
专利类型
公开/公告日1981-03-07
原文格式PDF
申请/专利权人 MO G PEDAGOGICHESKIJ I IM.V.I.LENINA;
申请/专利号SU19792738689
发明设计人 GERSHENZON EVGENIJ MSU;ORLOVA SIMONA LSU;ORLOV LEV ASU;
申请日1979-03-19
分类号H01L21/66;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 15:31:14
机译: 使用具有公共漏极区的间隔MOS晶体管的半导体反向导电开关器件的浮动保护区和制造工艺
机译: 用于半导体器件的半导体部件包括包含带状导体和/或电阻器的导电层,其通过氧化区域与导电层的其余区域电绝缘
机译: 半导体元件包括具有电极的半导体本体,在该电极中,一种导电类型的区域和另一种相反导电类型的区域布置在漂移区中