首页> 外国专利> METHOD OF CHEMICAL TREATMENT OF MONOCRYSTAL SILICON SUBSTRATE PRIOR TO DEPOSITION OF SILICON EPITHAXIAL LAYERSMNIEVOJJ OSNOVY PERED OBRAZOVANIE EHPITAKSIAL'NYKH SLOEV KREMNIJA

METHOD OF CHEMICAL TREATMENT OF MONOCRYSTAL SILICON SUBSTRATE PRIOR TO DEPOSITION OF SILICON EPITHAXIAL LAYERSMNIEVOJJ OSNOVY PERED OBRAZOVANIE EHPITAKSIAL'NYKH SLOEV KREMNIJA

机译:沉积硅上皮层之前化学处理单晶硅基质的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号PL118860B1

    专利类型

  • 公开/公告日1981-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号PL19780205284

  • 发明设计人

    申请日1978-03-13

  • 分类号H01L21/306;

  • 国家 PL

  • 入库时间 2022-08-22 13:39:21

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号