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Protection circuit for high power transistor equipment - uses Zener diodes and resistors to limit current in each transistor independently

机译:大功率晶体管设备的保护电路-使用齐纳二极管和电阻器分别限制每个晶体管中的电流

摘要

The transistor circuit includes a pair of power transistors (10, 11) connected in parallel to supply a load (12). A respective series resistor (13, 14) senses the current in its power transistor. Independently operated protection transistors (18, 19) are controlled by the voltage drop across the sensing resistors to limit the current in each power transistor to a safe level. Both power transistors are protected from over-voltage by a common zener diode (32) connecting their collectors to the negative rail. Zener diodes (26, 27, 30, 31) and resistors (24, 25, 28, 29) are connected to vary the current limit in accorance with the voltage drop across the power transistors. In a modification temp. dependent resistors may be used to bary the limit current with temp.
机译:该晶体管电路包括并联连接以提供负载(12)的一对功率晶体管(10、11)。相应的串联电阻(13、14)感测其功率晶体管中的电流。独立运行的保护晶体管(18、19)受感测电阻两端的压降控制,以将每个功率晶体管中的电流限制在安全水平。通过将它们的集电极连接到负极的公共齐纳二极管(32)保护两个功率晶体管免受过压。连接齐纳二极管(26、27、30、31)和电阻器(24、25、28、29),以根据功率晶体管两端的压降来改变电流限制。在修改温度。依赖电阻可以用来限制极限电流与温度的关系。

著录项

  • 公开/公告号FR2425150B1

    专利类型

  • 公开/公告日1982-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LUCAS INDUSTRIES LTD;

    申请/专利号FR19790011308

  • 发明设计人

    申请日1979-05-04

  • 分类号H01L23/56;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 12:31:03

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