本发明涉及电压基准的列表。 p> & &该列表的特征在于,它包括两个mos类型的晶体管t和t,其中一个晶体管t包括一个沟道,该沟道的尺寸与延伸部分相对于沟道的源极和漏极的尺寸相同。空间电荷区的晶体管,另一尺寸相对于空间电荷区的延伸较小;另一个晶体管t包括一个尺寸较大的通道,相对于空间电荷区域的延伸部分的相应尺寸,两个螺钉被提供以执行晶体管t和t的阈值电压之差。 t,该阈值电压差代表参考电压。 p> & &应用于电源电路的集成化规模更大。 p>
公开/公告号FR2447610B1
专利类型
公开/公告日1982-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE;
申请/专利号FR19790002052
发明设计人
申请日1979-01-26
分类号H01L27/04;G01R19/10;G01R31/26;H01L29/78;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 12:30:38