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机译:导电材料的浸渍掺杂和重结晶方法
公开/公告号PL231527A1
专利类型
公开/公告日1982-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 INST BADAN JADROWYCH;
申请/专利号PL19810231527
发明设计人 WERNER ZBIGNIEW;LANGNER JERZY;PIEKOSZEWSKI JERZY;GRYZINSKI MICHAL;
申请日1981-06-05
分类号G01L;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 11:02:41
机译: 导电材料的浸渍掺杂和重结晶方法
机译: 掺杂杂质的外延半导体材料的均匀薄层生长的溅射方法