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机译:超出允许的电压值后,打开可控硅的可控硅触发电路
公开/公告号PL232513A1
专利类型
公开/公告日1983-02-14
原文格式PDF
申请/专利权人 POLITECHNIKA WARSZAWSKA;
申请/专利号PL19810232513
发明设计人 JAWORSKI RYSZARD;KOCZARA WLODZIMIERZ;PRZYWARA GUSTAW;GRZESIAK LECH;SZULC ZBIGNIEW;
申请日1981-08-06
分类号H02M;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 11:02:37
机译: 超过允许的电压值时触发的晶闸管触发系统
机译: 输入电压超过500 V的电路阶段的启动=上电电路-包含通过高阻抗分压器从输入电压充电的电容器,通过齐纳二极管触发可控硅
机译: 带有晶闸管逆变器馈电变压器的静态转换器-晶闸管通过控制电路触发,并在整流器输出端与电压至变频器耦合