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机译:法在halbleiterkristallstabestiegelfreien区融合处设置稳定燃烧区的方法
公开/公告号DE2808401B2
专利类型
公开/公告日1983-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG 1000 BERLIN UND 8000 MUENCHEN DE;
申请/专利号DE19782808401
发明设计人 KELLER WOLFGANG DR.RER.NAT.;SCHROETTER GERHARD 8000 MUENCHEN DE;
申请日1978-02-27
分类号C30B13/30;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 10:11:40
机译: 法在halbleiterkristallstabestiegelfreien区融合处设置稳定燃烧区的方法