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METHDO AND APPARATUS FOR VAPOR PHASE GROWTH OF MAGNESPINEL

机译:镁合金汽相生长的方法和装置

摘要

PURPOSE:To carry out vapor phase growth of magnespinel shown by nMgO'Al2O3, by bringing a mixed gas of a reaction product gas of liquid or solid Al and HCl gas, a reaction product gas of solid Mg and HCl gas, and CO2 into contact with single crystal substrates.
机译:目的:通过使液态或固态Al的反应产物气体与HCl气体的混合气体,固态Mg和HCl气体的反应产物气体与CO2的混合气体接触,以进行nMgO'Al2O3所示的马格尼松的气相生长与单晶衬底。

著录项

  • 公开/公告号JPS5855119B2

    专利类型

  • 公开/公告日1983-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LTD;

    申请/专利号JP19770067252

  • 发明设计人 IHARA MASARU;CHIFUKU MASAYUKI;

    申请日1977-06-09

  • 分类号C30B25/02;C01F7/02;C01F7/16;C30B25/10;C30B29/26;H01L21/86;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 09:24:09

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