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机译:消除结构SI-SIO DOWN中缺陷的低温等离子体方法2
公开/公告号BG35298A1
专利类型
公开/公告日1984-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 SEKERESHANNA;ALEKSANDROVASASHKA P.;
申请/专利号BG19830059600
发明设计人 ALEKSANDROVASASHKA P.;SEKERESHANNA;
申请日1983-02-04
分类号H01L21/477;
国家 BG
入库时间 2022-08-22 09:23:38
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