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Auger microlithography with regard to Auger window

机译:关于俄歇窗口的俄歇微光刻

摘要

An Auger microlithography process wherein a beam of substantially monochromatic X-rays is passed through a photomask to induce Auger electrons from a selected atomic element within a photosensitive layer which Auger electrons act on a material in that layer to cause a physicochemical change thereof and form a latent image. The X-rays used are selected to be substantially monochromatic such that the range of wave lengths falls largely or almost totally within the Auger window, as defined, determined by the particular electron shell of the atomic element to be activated to produce the Auger electrons.
机译:俄歇微光刻工艺,其中使基本上单色的X射线束穿过光掩模,以从光敏层中选定的原子元素中产生俄歇电子,俄歇电子作用在该层中的材料上,从而引起其物理化学变化并形成一个潜像。所使用的X射线被选择为基本上是单色的,以使得波长范围在很大程度上或几乎完全落入俄歇窗内,如所定义的那样,俄歇窗由被激活以产生俄歇电子的原子元素的特定电子壳所确定。

著录项

  • 公开/公告号US4425423A

    专利类型

  • 公开/公告日1984-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WANG;CHIA-GEE;

    申请/专利号US19820419405

  • 发明设计人 CHIA-GEE WANG;

    申请日1982-09-17

  • 分类号G03C5/04;G03C1/00;G03C1/02;G03C5/24;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 08:40:00

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