首页> 外国专利> Process for in-situ formation of niobium-insulator-niobium Josephson tunnel junction devices

Process for in-situ formation of niobium-insulator-niobium Josephson tunnel junction devices

机译:铌-绝缘体-铌约瑟夫森隧道结装置的原位形成方法

摘要

A method of forming a superconductor-barrier-superconductor junction device by the steps of depositing a first superconductive layer on a substrate, forming a barrier layer on the first superconductive layer and depositing a second superconductive layer on the barrier layer. A layer of photoresist is then deposited over the second superconductive layer and patterned together with the second superconductive layer to form a mesa structure. A dielectric layer is deposited over the mesa structure, and the photoresist layer portion is dissolved thereby lifting off the dielectric portion overlying said second superconductive layer portion.
机译:一种通过在基板上沉积第一超导层,在第一超导层上形成阻挡层以及在该阻挡层上沉积第二超导层的步骤来形成超导体-势垒-超导体结器件的方法。然后将光刻胶层沉积在第二超导层上,并与第二超导层一起构图以形成台面结构。在台面结构上沉积电介质层,并且溶解光致抗蚀剂层部分,从而剥离覆盖在所述第二超导层部分上的电介质部分。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号